Hàn Quốc khởi tố 10 người vì rò rỉ công nghệ chip DRAM sang Trung Quốc
- Vương Quân Nghi
- •
Công tố Hàn Quốc mới đây đã chính thức truy tố 10 bị cáo, trong đó có cựu lãnh đạo và kỹ sư của Samsung Electronics, với cáo buộc chuyển giao trái phép các công nghệ bán dẫn lõi quốc gia sang Trung Quốc, trong đó tâm điểm là nhà sản xuất chip nhớ Trung Quốc ChangXin Memory Technologies (CXMT).
Diễn biến vụ việc
Công tố xác định trong giai đoạn năm 2016–2023, các đối tượng đã nhiều năm, có hệ thống làm rò rỉ trái phép sang Trung Quốc công nghệ chế tạo DRAM (Dynamic Random Access Memory) tiến trình 10 nm mà Samsung là hãng đầu tiên trên thế giới phát triển, gây thiệt hại nghiêm trọng cho ngành bán dẫn Hàn Quốc và an ninh công nghệ quốc gia.
Tâm điểm vụ án là CXMT, nhà sản xuất DRAM đầu tiên và hiện là duy nhất của Trung Quốc, được thành lập nhờ vốn đầu tư khổng lồ từ chính quyền Trung Quốc và đã sử dụng trái phép công nghệ lõi bán dẫn ở trình độ hàng đầu thế giới của Hàn Quốc trong toàn bộ quá trình R&D và sản xuất hàng loạt DRAM 10 nm.
Công nghệ DRAM 10 nm bị “làm rò rỉ toàn bộ”
Theo The Elec và các nguồn tin từ Hàn Quốc, nhân vật trung tâm A (từng giữ chức vụ chủ chốt trong R&D của Samsung và sau đó là người phụ trách phát triển tại CXMT) đã chủ trì toàn diện việc R&D DRAM 10 nm tại CXMT, bị cáo buộc vi phạm Luật Bảo hộ công nghệ công nghiệp khi đưa công nghệ lõi cấp quốc gia của Hàn Quốc ra nước ngoài.
Bốn kỹ sư chủ chốt cùng tham gia phát triển DRAM 10 nm với A cũng bị bắt giam truy tố, trong khi năm người phụ trách các hạng mục R&D khác bị truy tố không giam giữ, cho thấy đây là một hoạt động có tổ chức chứ không phải hành vi đơn lẻ.
Thủ đoạn: chép tay hàng trăm tham số
Điều tra cho thấy một cựu nghiên cứu viên Samsung (B) khi chuyển sang CXMT năm 2016, để tránh dấu vết từ sao chép điện tử hay chụp hình, đã chép tay khoảng 600 hạng mục quy trình công nghệ và tham số thiết bị then chốt của DRAM, rồi mang số dữ liệu này sang Trung Quốc.
Công tố nhận định lô tài liệu này là thành quả cốt lõi của công nghệ DRAM 10 nm mà Samsung mất 5 năm và đầu tư khoảng 1,6 nghìn tỷ won để phát triển, là tài sản kỹ thuật có giá trị thương mại lớn nhất trong toàn bộ hệ thống quy trình.
Ngoài ra, một nhân vật khác (C), phụ trách quy trình phòng sạch tại CXMT, bị cáo buộc đã thông qua kênh chuỗi cung ứng để lấy trái phép công nghệ lõi cấp quốc gia của SK Hynix, qua đó mở rộng phạm vi rò rỉ.
Công tố cho rằng những công nghệ bị rò rỉ này đã giúp CXMT nhanh chóng bù đắp các lỗ hổng về quy trình tiên tiến và đến năm 2023 đạt được việc sản xuất hàng loạt DRAM 10 nm đầu tiên tại Trung Quốc, hai bên “có mức độ liên hệ rất cao”.
Tính chất có tổ chức của vụ án
Theo cơ quan công tố, để né tránh điều tra, các đối tượng đã lập công ty vỏ bọc, nhiều lần chuyển địa điểm văn phòng và nội bộ còn truyền tay nhau “quy tắc hành động” như “phải luôn giả định Cơ quan Tình báo Quốc gia (NIS) đang ở ngay gần”, thậm chí còn thống nhất trước mật hiệu để báo cho nhau nếu bị bắt.
Công tố nhấn mạnh các hành vi rò rỉ thể hiện rõ tính tổ chức và tính liên tục, không phải hành động của một cá nhân đơn lẻ, và khẳng định sẽ xử lý cứng rắn, nghiêm khắc theo pháp luật đối với những vụ việc đe dọa công nghệ lõi của quốc gia.
Thiệt hại kinh tế ước tính cực lớn
Ước tính riêng với Samsung Electronics, thiệt hại thị phần do thất thoát công nghệ những năm gần đây có thể lên tới khoảng 5 nghìn tỷ won; nếu tính cả tổn thất trong toàn bộ chuỗi ngành và năng lực cạnh tranh tương lai, quy mô ảnh hưởng có thể mở rộng tới “hàng chục nghìn tỷ won”.
Theo Vương Quân Nghi / Epoch Times
Xem thêm
Từ khóa Trung Quốc đánh cắp công nghệ đánh cắp công nghệ samsung
